申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

申请日：2021-09-06

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN113659429B

主分类号：H01S5/068

分类号：H01S5/068;H01S5/14

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.14#授权;2021.12.03#实质审查的生效;2021.11.16#公开

摘要：本发明提供一种线偏振窄线宽外腔型半导体激光器，包括增益芯片和外腔选频器件，外腔选频器件的基本结构为硅基波导布拉格光栅，基于硅基波导布拉格光栅的双折射效应，使得外腔选频器件反射的TE模式和TM模式分裂，当TE模式和TM模式反射回增益芯片并注入到增益芯片的ASE谱上时，TE模式与TM模式之间形成增益差，并且TM模式和TM模式的增益受到抑制，使线偏振窄线宽外腔型半导体激光器以线偏振模式输出。本发明无需偏振控制器就可以输出线偏振的激光，从而简化外腔半导体激光器的结构并降低外腔半导体激光器中各元器件之间的损耗。

主权项：1.一种线偏振窄线宽外腔型半导体激光器，其特征在于，包括增益芯片和外腔选频器件，所述外腔选频器件的结构为硅基波导布拉格光栅，所述硅基波导布拉格光栅包括芯层，芯层为掺杂的硅基二氧化硅结构，通过芯层的掺杂实现所述硅基波导布拉格光栅的应力双折射效应，在芯层的表面刻有光栅，利用表面光栅改变芯层的形状实现所述硅基波导布拉格光栅的形状双折射效应，基于所述应力双折射效应与所述形状双折射效应，使得所述外腔选频器件反射的TE模式和TM模式分裂，当所述TE模式和所述TM模式反射回所述增益芯片并注入到所述增益芯片的ASE谱上时，所述TE模式与所述TM模式之间形成增益差，并且所述TM模式和所述TM模式的增益受到抑制，使所述线偏振窄线宽外腔型半导体激光器以线偏振模式输出。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 线偏振窄线宽外腔型半导体激光器

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