申请/专利权人：新唐科技日本株式会社

申请日：2021-09-17

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115152032B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.14#授权;2022.10.25#实质审查的生效;2022.10.04#公开

摘要：在将第1源极区域14以及第1体区域18与第1源极电极11连接的第1连接部18A在第1沟槽17延伸的第1方向Y方向上交替地且周期性地设置的第1纵型场效应晶体管10中，在与第1方向Y方向正交的第2方向X方向上，相邻的第1沟槽17与第1沟槽17之间的距离Lxm和第1沟槽17的内部宽度Lxr处于Lxm≦Lxr≦0.20μm的关系，关于第1连接部18A的长度，对第1栅极导体15施加规格值的电压而流过规格值的电流时的第1纵型场效应晶体管10的导通电阻处于即使进一步缩短第1连接部18A的长度也不显著地减小的收敛域。

主权项：1.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于，具备纵型场效应晶体管，该纵型场效应晶体管具有：半导体基板，由硅构成，含有第1导电型的杂质；低浓度杂质层，在上述半导体基板上相接形成，含有比上述半导体基板的上述第1导电型的杂质的浓度低的浓度的上述第1导电型的杂质；与上述第1导电型不同的第2导电型的体区域，形成在上述低浓度杂质层的表面；上述第1导电型的源极区域，形成在上述体区域的表面；源极电极，与上述源极区域电连接；多个沟槽，在与上述半导体基板的上表面平行的第1方向上延伸，并且，在与上述第1方向正交的第2方向上等间隔地从上述低浓度杂质层的上表面形成到将上述体区域贯通直至上述低浓度杂质层的一部分为止的深度；栅极绝缘膜，将上述多个沟槽的表面的至少一部分覆盖而形成；栅极导体，形成在上述栅极绝缘膜上；以及连接部，将上述体区域与上述源极电极电连接；在上述纵型场效应晶体管中，在上述第1方向上交替地且周期性地设置有上述源极区域和上述连接部；设在上述第2方向上相邻的上述沟槽与沟槽之间的距离为Lxm[μm]，设1个上述沟槽的内部宽度为Lxr[μm]时，Lxm≦Lxr≦0.20μm成立；当设上述纵型场效应晶体管的规格最大电压为Vss[V]时，上述第1方向上的1个上述源极区域的长度LS[μm]和上述第1方向上的1个上述连接部的长度LB[μm]处于以下关系：LB0.35μm，并且，LS≦0.12×Vss×Lxm-0.76×Lxm-0.05×Vss+1.26[μm]。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 新唐科技日本株式会社 半导体装置

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