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【实用新型】射频接收模组旁路模式下的无源电路及射频接收模组_深圳飞骧科技股份有限公司_202222959728.X 

申请/专利权人:深圳飞骧科技股份有限公司

申请日:2022-11-07

公开(公告)日:2023-03-14

公开(公告)号:CN218633922U

主分类号:H04B1/16

分类号:H04B1/16;H03H11/24

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.03.14#授权

摘要:本实用新型公开了一种射频接收模组旁路模式下的无源电路,其包括依次连接的信号输入端、放大单元、输出匹配电路以及信号输出端;所述无源电路还包括连接至所述放大单元的输入端与所述输出匹配电路的输入端之间的衰减电路;所述衰减电路包括第一晶体管、第一通路、第二通路、第三通路以及第二晶体管;所述无源电路处于所述射频接收模组旁路模式时,所述信号输入端接收的信号经过所述衰减电路进行不同程度的衰减后输出至所述输出匹配电路的输入端。本实用新型的射频接收模组旁路模式下的无源电路实现了对大功率信号进行衰减的功能,进而可以使大功率信号衰减成所需的功率信号以输出至下一级电路。

主权项:1.一种射频接收模组旁路模式下的无源电路,包括依次连接的信号输入端、放大单元、输出匹配电路以及信号输出端;其特征在于,所述无源电路还包括连接至所述放大单元的输入端与所述输出匹配电路的输入端之间的衰减电路;所述衰减电路包括第一晶体管、第一通路、第二通路、第三通路以及第二晶体管;所述第一晶体管的栅极连接至第一控制极电压,所述第一晶体管的源极作为所述衰减电路的输入端与所述放大单元的输入端连接;所述第一通路的第一端、所述第二通路的第一端以及所述第三通路的第一端均与所述第一晶体管的漏极连接;所述第二晶体管的栅极连接至第二控制极电压,所述第二晶体管的源极分别与所述第一通路的第二端、所述第二通路的第二端以及所述第三通路的第二端连接,所述第二晶体管的漏极作为所述衰减电路的输出端与所述输出匹配电路的输入端连接;所述第一通路、所述第二通路以及所述第三通路分别用于对所述信号输入端输入的信号进行不同程度的衰减;所述无源电路处于所述射频接收模组旁路模式时,所述信号输入端接收的信号经过所述衰减电路进行不同程度的衰减后输出至所述输出匹配电路的输入端。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 深圳飞骧科技股份有限公司 射频接收模组旁路模式下的无源电路及射频接收模组

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