申请/专利权人：深圳职业技术学院

申请日：2022-11-04

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN218632043U

主分类号：H01L27/12

分类号：H01L27/12;H01L27/15

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.14#授权

摘要：本实用新型涉及一种像素电路及显示面板。该像素电路包括：第一薄膜晶体管T1，第二薄膜晶体管T2，第三薄膜晶体管T31，其为双栅极薄膜晶体管，第四薄膜晶体管T4，第五薄膜晶体管T5，第六薄膜晶体管T6，电容C，以及有机发光二极管OLED；其中，第三薄膜晶体管T31为IGZO‑TFT。本实用新型还提供了相应的显示面板。本实用新型的像素电路及显示面板提出了一种高稳定性的LTPO像素电路，能够避免像素电路中IGZO‑TFT负偏造成的亮度异常现象。

主权项：1.一种像素电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管T1，其栅极连接第二节点N2，源极和漏极分别连接第三节点N3及第四节点N4；第二薄膜晶体管T2，其栅极连接第二信号输入端Scan2，源极和漏极分别连接第四节点N4及数据信号输入端Data；第三薄膜晶体管T31，其为双栅极薄膜晶体管，其顶部栅极连接第一信号输入端Scan1，底部栅极连接第二信号输入端Scan2，源极和漏极分别连接第二节点N2及第三节点N3；第四薄膜晶体管T4，其栅极连接第四信号输入端EM2，源极和漏极分别连接第三节点N3及直流高电压VDD；第五薄膜晶体管T5，其栅极连接第三信号输入端EM1，源极和漏极分别连接第一节点N1及第四节点N4；第六薄膜晶体管T6，其栅极连接第一信号输入端Scan1，源极和漏极分别连接第一节点N1及初始电压输入端VINI；电容C，其连接于第一节点N1和第二节点N2之间；以及有机发光二极管OLED，其阳极连接第一节点N1，阴极连接直流低电压VSS；其中，第三薄膜晶体管T31为IGZO-TFT。

全文数据：

权利要求：

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