申请/专利权人：福建华佳彩有限公司

申请日：2022-11-09

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN218632045U

主分类号：H01L27/12

分类号：H01L27/12;H01L23/52

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.14#授权

摘要：本实用新型涉及液晶显示屏技术领域，提供一种具有蚀刻阻挡层的高性能TFT阵列基板，包括：玻璃衬底；第一金属层，形成栅极；栅绝缘层，固定设置在第一金属层与玻璃衬底的上表面；左有源层，右有源层，固定设置在栅绝缘层的上表面；桥接层，左右两端分别跟左有源层与右有源层连接；左蚀刻阻挡层，固定设置在栅绝缘层与左有源层的上表面；右蚀刻阻挡层，固定设置在栅绝缘层与右有源层的上表面；第二金属层，与左有源层连接，形成源极；第三金属层，与右有源层连接，形成漏极。本实用新型的优点在于：在不缩短TFT器件的源极漏极距离的前提下，缩短有源层沟道长度，本实用新型的TFT阵列基板具有反应快、开态电流大、阈值电压小等优势。

主权项：1.一种具有蚀刻阻挡层的高性能TFT阵列基板，其特征在于，包括：玻璃衬底；第一金属层，固定设置在所述玻璃衬底的上表面，形成栅极；栅绝缘层，固定设置在所述第一金属层与所述玻璃衬底的上表面；左有源层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还位于所述第一金属层的左端上方；右有源层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，还位于所述第一金属层的右端上方；桥接层，固定设置在所述栅绝缘层的上表面，左右两端分别跟所述左有源层与所述右有源层连接；左蚀刻阻挡层，固定设置在所述栅绝缘层与所述左有源层的上表面，还开设有左挖孔；右蚀刻阻挡层，固定设置在所述栅绝缘层与所述右有源层的上表面，还开设有右挖孔；第二金属层，固定设置在所述左蚀刻阻挡层的上表面，还穿过所述左挖孔与所述左有源层连接，形成源极；第三金属层，固定设置在所述右蚀刻阻挡层的上表面，还穿过所述右挖孔与所述右有源层连接，形成漏极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建华佳彩有限公司 一种具有蚀刻阻挡层的高性能TFT阵列基板

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