申请/专利权人:天合光能股份有限公司
申请日:2022-11-15
公开(公告)日:2023-03-14
公开(公告)号:CN218632060U
主分类号:H01L31/0224
分类号:H01L31/0224;H01L31/04
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.03.14#授权
摘要:本公开涉及一种太阳能电池以及太阳能电池用栅线。该太阳能电池包括半导体衬底、设置在半导体衬底上的介质层以及设置在介质层上的栅线,栅线包括主栅线和与主栅线相交的铝栅线,铝栅线包括多个缩窄部和宽度大于缩窄部的多个加宽部,在加宽部中的至少一个的位置处的介质层被去除以形成介质层去除部,加宽部中的至少一个构造成面积大于对应的介质层去除部的面积并完全覆盖介质层去除部,并且加宽部经由对应的介质层去除部与半导体衬底形成铝掺杂以实现局部欧姆接触。通过提供这种太阳能电池以及太阳能电池用栅线,既满足了太阳能电池掺杂工艺的要求,又降低了栅线的遮光和反射损失。
主权项:1.一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括半导体衬底、设置在所述半导体衬底上的介质层以及设置在所述介质层上的栅线,所述栅线包括主栅线和与所述主栅线相交的铝栅线,所述铝栅线的纵向上的尺寸被限定为长度、垂直于所述纵向并平行于所述介质层的平面的方向上的尺寸被限定为宽度并且垂直于所述介质层的平面的方向上的尺寸被限定为厚度,所述铝栅线包括多个缩窄部和宽度大于所述缩窄部的多个加宽部,在所述加宽部中的至少一个的位置处的所述介质层被去除以形成介质层去除部,所述加宽部中的所述至少一个构造成面积大于对应的介质层去除部的面积并完全覆盖所述介质层去除部,并且所述加宽部经由对应的介质层去除部与所述半导体衬底形成铝掺杂以实现局部欧姆接触。
全文数据:
权利要求:
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