申请/专利权人：湖南三安半导体有限责任公司

申请日：2022-11-28

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN218621129U

主分类号：C30B23/00

分类号：C30B23/00;C30B29/36

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.14#授权

摘要：本实用新型涉及晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种坩埚结构和晶体生长设备。坩埚结构包括坩埚体；坩埚盖，坩埚盖的中央具有用于布置籽晶的籽晶台，坩埚盖盖设于坩埚体；以及环状装置，环状装置包括沿轴线方向连接的筒状腔体和延伸腔体；筒状腔体贴合在坩埚体的内壁上，筒状腔体从坩埚体底壁延伸至靠近籽晶台的位置；延伸腔体设置在筒状腔体的顶部，且径向延伸至籽晶台。其至少能够改善晶体生产初期因为坩埚体受到侵蚀而使得坩埚体上的碳脱落，在温度梯度和气氛对流作用下，碳颗粒会传输到籽晶表面而造成晶体初期缺陷的技术问题。

主权项：1.一种坩埚结构，其特征在于，包括：坩埚体100；坩埚盖200，所述坩埚盖200的中央具有用于布置籽晶20的籽晶台201，所述坩埚盖200盖设于所述坩埚体100；以及环状装置300，所述环状装置300包括沿轴线方向连接的筒状腔体310和延伸腔体320；所述筒状腔体310贴合在所述坩埚体100的内壁上，所述筒状腔体310从所述坩埚体100底壁延伸至靠近所述籽晶台201的位置；所述延伸腔体320设置在所述筒状腔体310的顶部，且径向延伸至所述籽晶台201。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖南三安半导体有限责任公司 坩埚结构和晶体生长设备

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