申请/专利权人:拓荆科技股份有限公司
申请日:2022-11-30
公开(公告)日:2023-03-14
公开(公告)号:CN218631909U
主分类号:H01J37/32
分类号:H01J37/32;H01L21/67
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.03.14#授权
摘要:本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种抽气环结构及等离子体处理装置。抽气环结构为内部空腔的环体结构,抽气环结构的顶面沿其周向间隔设有多个贯通的条形排气孔,多个条形排气孔环周设有至少一圈,条形排气孔的开口长度大于其开口宽度,开口宽度小于5mm;同一圈设置的各条形排气孔呈由中心向四周放射状形态分布设置,条形排气孔的长度方向沿着放射方向设置;或同一圈设置的各条形排气孔的长度方向沿其环周方向依次间隔设置。该等离子体处理装置包括该抽气环结构。该抽气环结构及等离子体处理装置提高了排气效率的同时,还有效防止等离子体泄漏。
主权项:1.一种抽气环结构,其特征在于,所述抽气环结构为内部空腔的环体结构,所述抽气环结构的顶面沿其周向间隔设有多个贯通的条形排气孔,多个所述条形排气孔环周设有至少一圈,所述条形排气孔的开口长度大于其开口宽度,所述开口宽度小于5mm;同一圈设置的各所述条形排气孔呈由中心向四周放射状形态分布设置,所述条形排气孔的长度方向沿着所述放射的方向设置;或同一圈设置的各所述条形排气孔的长度方向沿其环周方向依次间隔设置。
全文数据:
权利要求:
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