申请/专利权人：大庆菲曼希精密设备制造有限公司

申请日：2022-12-05

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN218621140U

主分类号：C30B29/42

分类号：C30B29/42;C30B11/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.14#授权

摘要：本实用新型提一种生产率高的砷化镓单晶生长炉。涉及半导体晶体生长设备技术领域。炉筒为炉体、保温桶、电热元件安装成为一体结构，炉座上安装有坩埚托，坩埚托上放置有坩埚，炉座底部固定连接底座，底座上安装有龙门架，龙门架的上梁底部固定连接油缸，油缸的柱塞固定连接炉筒上部。本实用新型具有如下有益效果：通过油缸动作即可将炉筒上升和下降，一体结构的炉筒上升后将坩埚放置在坩埚托上，落下炉筒即可完成安装过程，提高了单晶生长炉的生产效率，同时可保证炉体落下时顺利与炉座接合且不会和油缸的柱塞发生机械干涉，降低加工、安装精度。

主权项：1.一种生产率高的砷化镓单晶生长炉，包括炉座2，其特征在于：炉座2上部为炉筒，炉筒为炉体3、保温桶4、电热元件5安装成为一体结构，炉座2上安装有坩埚托7，坩埚托7上放置有坩埚6，炉座2底部固定连接底座1，底座1上安装有龙门架10，龙门架10的上梁底部固定连接油缸11，油缸11的柱塞17固定连接炉筒上部；炉体3和保温桶4均为杯形结构，炉体3内孔螺纹连接挡环12，挡环12挡在保温桶4下部的台阶管15的台阶部位，保温桶4的台阶管15插在炉座2的环槽16内，台阶管15和环槽16之间设有密封圈，炉体3在上部底面向保温桶4延伸一个限位环23，炉体3内孔通过密封圈间隙配合连接炉座2的台阶轴13，炉体3的底端面顶在台阶轴13的台阶环面上，保温桶4内壁固定安装电热元件5，炉座2上安装有热电偶管22延伸至电热元件5范围，热电偶管22内安装有热电偶；保温桶4上设有排气管8，排气管8通过密封圈伸出到炉体3外部，炉座2底部开有进气孔9。

全文数据：

权利要求：

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