申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2022-09-22

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN218632032U

主分类号：H01L23/498

分类号：H01L23/498;H01L23/488

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.14#授权

摘要：本申请是关于衬底结构。根据本申请一实施例的衬底结构包括：衬底及阻焊层。阻焊层设置于衬底上，其中阻焊层包括第一开口和第二开口，且相邻的第一开口与第二开口之间的最小距离大于或等于80微米。本申请提供的衬底结构能够使得衬底结构所连接的芯片的导电柱之间的底部填充物具有更好的填充效果，减少了铜暴露的面积，从而降低底部填充物与铜区域之间产生分层的可能性，提高了封装的可靠性。

主权项：1.一种衬底结构，其特征在于，其包括：衬底；及阻焊层，其设置于所述衬底上，其中所述阻焊层包括第一开口和第二开口，且相邻的所述第一开口与所述第二开口之间的最小距离大于或等于80微米。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 衬底结构

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