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【实用新型】等离子体化学气相沉积装置_盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司;盛吉盛半导体科技(北京)有限公司_202222572483.5 

申请/专利权人:盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司;盛吉盛半导体科技(北京)有限公司

申请日:2022-09-27

公开(公告)日:2023-03-14

公开(公告)号:CN218621044U

主分类号:C23C16/50

分类号:C23C16/50;C23C16/455

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.03.14#授权

摘要:本实用新型公开了一种等离子体化学气相沉积装置,包括反应腔体、顶盖和载台;载台设置于反应腔体内,用于承载放置于反应腔体内的半导体结构;顶盖盖设于反应腔体顶部,顶盖上设置有第一供气通道和第二供气通道;顶盖朝向反应腔体的一侧设置有导气单元,导气单元中部设置有导气通道,导气通道连通于第二供气通道;顶盖朝向反应腔体的一侧设置有分气单元,分气单元罩设于导气单元外侧。本实用新型解决了原位刻蚀导致的半导体结构损伤,及气体分布不均匀导致的介质层厚度不均及刻蚀程度不同的问题。

主权项:1.一种等离子体化学气相沉积装置,其特征在于,包括反应腔体、顶盖和载台;所述载台设置于所述反应腔体内,用于承载放置于所述反应腔体内的半导体结构;所述顶盖盖设于所述反应腔体顶部,所述顶盖上设置有第一供气通道和第二供气通道;所述顶盖朝向所述反应腔体的一侧设置有导气单元,所述导气单元中部设置有导气通道,所述导气通道连通于所述第二供气通道;所述顶盖朝向所述反应腔体的一侧设置有分气单元,所述分气单元罩设于所述导气单元外侧。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司;盛吉盛半导体科技(北京)有限公司 等离子体化学气相沉积装置

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