申请/专利权人:上海谙邦半导体设备有限公司
申请日:2022-11-01
公开(公告)日:2023-03-14
公开(公告)号:CN218631945U
主分类号:H01L21/67
分类号:H01L21/67;H01L21/3065
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.03.14#授权
摘要:本实用新型公开了一种等离子体刻蚀腔体衬套结构,包括刻蚀腔体,刻蚀腔体顶部设有腔体上盖,所述刻蚀腔体内设有晶圆承载台,所述刻蚀腔体内壁设有一封闭中空衬套,形成一衬套空腔,所述封闭中空衬套内壁由微孔陶瓷材料制成;所述封闭中空衬套顶部连接有进气管。本实用新型与现有技术相比的优点是:本实用新型使用微孔陶瓷作为衬套的主体材料,通过在远离腔体内部的一侧通入一定压力的气体,可以使得衬套内部表面形成微小气流,避免副产物附着与累积,而且陶瓷材料不会影响腔体内部的电性,以及低热膨胀系数的特性,不会有明显体积变化,可以没避免衬套表面少量附着物成片状脱落。同时,微孔陶瓷的方便安装与拆卸。
主权项:1.一种等离子体刻蚀腔体衬套结构,包括刻蚀腔体,刻蚀腔体顶部设有腔体上盖,所述刻蚀腔体内设有晶圆承载台,其特征在于:所述刻蚀腔体内壁设有一封闭中空衬套,形成一衬套空腔,所述封闭中空衬套内壁由微孔陶瓷材料制成;所述封闭中空衬套顶部连接有进气管。
全文数据:
权利要求:
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