申请/专利权人：广东众元半导体科技有限公司

申请日：2021-09-11

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115807263A

主分类号：C30B25/02

分类号：C30B25/02;C30B25/08;C30B25/14;C30B25/16;C30B29/40

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.04#实质审查的生效;2023.03.17#公开

摘要：本发明公开了一种分子束外延生长异质界面的方法与装置，该装置包含电子束调控系统和电磁调控系统，根据所要制备的异质界面薄膜的结构变化、材料的组分变化或掺杂浓度梯度变化，合理设置电子束调控系统和电磁调控系统的占空比频率，实现两者之间的协调调控。本发明技术通过非机械的方式实现对异质界面材料的组分或掺杂浓度调控，调控速率十分迅速，根据编程控制电子束调控系统和电磁调控系统可以实现复杂多样的异质界面结构。

主权项：1.一种分子束外延生长异质界面的方法，其中，包含如下步骤：步骤一、加热源炉，形成源材料分子束流，在衬底上生长均匀薄膜材料；步骤二、在即将生长异质界面薄膜层时，开启电子束调控系统和电磁调控系统；步骤三、根据所要制备的异质界面薄膜的结构变化和材料的组分或掺杂浓度梯度变化，电子束调控系统中的电子发射枪以一定占空比频率发射电子；步骤四、根据所要制备的异质界面薄膜的结构变化和材料的组分或掺杂浓度梯度变化，电磁调控系统在源炉和衬底之间以一定占空比频率产生局部电场或者局部磁场；步骤五、关闭电子束调控系统和电磁调控系统，继续在衬底上生长均匀薄膜材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东众元半导体科技有限公司 一种分子束外延生长异质界面的方法与装置

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