申请/专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

申请日：2021-09-02

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115810668A

主分类号：H01L29/786

分类号：H01L29/786;H03H11/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.04#实质审查的生效;2023.03.17#公开

摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管，其包括：一栅极；一栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述栅极的表面；一碳纳米管结构，所述碳纳米管结构设置于所述栅极绝缘层远离所述栅极的表面；及一源极、一漏极，所述源极、漏极间隔设置，并分别与所述碳纳米管结构电连接；其中，进一步包括一界面电荷层，所述界面电荷层设置于所述碳纳米管结构和所述栅极绝缘层之间。本发明还涉及一种采用该薄膜晶体管制备的滤波器。

主权项：1.一种薄膜晶体管，其包括：一栅极；一栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述栅极的表面；一碳纳米管结构，所述碳纳米管结构设置于所述栅极绝缘层远离所述栅极的表面；及一源极、一漏极，所述源极、漏极间隔设置，并分别与所述碳纳米管结构电连接；其特征在于，进一步包括一界面电荷层，所述界面电荷层设置于所述碳纳米管结构和所述栅极绝缘层之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 薄膜晶体管及采用薄膜晶体管的滤波器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD