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【发明公布】半导体结构及其形成方法_长鑫存储技术有限公司_202111067349.3 

申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司

申请日:2021-09-13

公开(公告)日:2023-03-17

公开(公告)号:CN115810577A

主分类号:H01L21/762

分类号:H01L21/762;H01L21/764;H10B12/00

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.04.04#实质审查的生效;2023.03.17#公开

摘要:本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤:提供衬底;刻蚀所述衬底,形成多个有源区、位于相邻所述有源区之间的沟槽、以及位于所述有源区下方的空气隙;形成至少填充所述沟槽的填充层。本发明有效阻挡了来自于底部的电子对有源区的干扰,降低了所述半导体结构工作过程中相邻有源区之间的干扰作用,减轻了行锤击效应的影响,改善了半导体结构的良率及性能可靠性。

主权项:1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括如下步骤:提供衬底;刻蚀所述衬底,形成多个有源区、位于相邻所述有源区之间的沟槽、以及位于所述有源区下方的空气隙;形成至少填充所述沟槽的填充层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其形成方法

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