申请/专利权人：格科微电子(上海)有限公司

申请日：2021-09-13

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115810639A

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.04#实质审查的生效;2023.03.17#公开

摘要：本发明公开了一种图像传感器及其形成方法，该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底具有正面和背面；自半导体衬底正面对半导体衬底进行离子注入，分别形成第一离子掺杂区、第二离子掺杂区和第三离子掺杂区共同形成图像传感器的感光单元；所述第二离子掺杂区位于所述第一离子掺杂区下方；所述第三离子掺杂区至少部分包围所述第一离子掺杂区。本发明的技术方案通过磷和砷共同对半导体衬底进行N型离子注入，可以减少磷扩散到底部导致底部面上钉扎不足引起的WP增加；既保证了FWC不会降低，又避免侧面隔离区钉扎不足引起WP增加；同时没有完全用砷去替代磷，热预算较少，注入的离子容易激活，注入过程的损伤容易修复。

主权项：1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，半导体衬底具有正面和背面；自半导体衬底正面对半导体衬底进行离子注入，分别形成第一离子掺杂区、第二离子掺杂区和第三离子掺杂区共同形成图像传感器的感光单元；所述第二离子掺杂区位于所述第一离子掺杂区下方；所述第三离子掺杂区至少部分包围所述第一离子掺杂区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 格科微电子(上海)有限公司 图像传感器及其形成方法

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