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【发明公布】半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202111067661.2 

申请/专利权人:联华电子股份有限公司

申请日:2021-09-13

公开(公告)日:2023-03-17

公开(公告)号:CN115811925A

主分类号:H10N50/01

分类号:H10N50/01;H10N50/10;H10B61/00;G11C11/16

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.04.04#实质审查的生效;2023.03.17#公开

摘要:本发明公开一种半导体元件及其制作方法,其中该制作半导体元件的方法为主要先形成一磁性隧穿结magnetictunnelingjunction,MTJ堆叠结构于一基底上,然后形成一蚀刻停止层于该MTJ堆叠结构上,形成一第一自旋轨道转矩式spinorbittorque,SOT层于该蚀刻停止层上,然后图案化该第一SOT层、该蚀刻停止层以及该MTJ堆叠结构以形成一MTJ。

主权项:1.一种制作半导体元件的方法,其特征在于,包含:形成磁性隧穿结magnetictunnelingjunction,MTJ堆叠结构于基底上;形成蚀刻停止层于该磁性隧穿结堆叠结构上;形成第一自旋轨道转矩式spinorbittorque,SOT层于该蚀刻停止层上;以及图案化该第一自旋轨道转矩式层、该蚀刻停止层以及该磁性隧穿结堆叠结构以形成磁性隧穿结。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 联华电子股份有限公司 半导体元件及其制作方法

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