申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2021-09-13

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115810578A

主分类号：H01L21/762

分类号：H01L21/762;H01L21/764;H10B12/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.04#实质审查的生效;2023.03.17#公开

摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供衬底；刻蚀所述衬底，形成多个有源区及多个凹槽，所述凹槽包括相互连通的第一凹槽和第二凹槽，所述有源区沿第一方向延伸，所述第一凹槽位于沿所述第一方向平行排布且相邻的两个所述有源区之间，所述第二凹槽位于所述第一凹槽下方和部分所述有源区下方，且所述第二凹槽的内径大于所述第一凹槽的内径；填充所述凹槽，形成具有空气隙的填充层，所述空气隙至少位于所述第二凹槽内。本发明阻挡了相邻有源区之间电子的迁移，减轻了行锤击效应的影响，改善了半导体结构的良率及性能可靠性。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底；刻蚀所述衬底，形成多个有源区及多个凹槽，所述凹槽包括相互连通的第一凹槽和第二凹槽，所述有源区沿第一方向延伸，所述第一凹槽位于沿所述第一方向平行排布且相邻的两个所述有源区之间，所述第二凹槽位于所述第一凹槽下方和部分所述有源区下方，且所述第二凹槽的内径大于所述第一凹槽的内径；填充所述凹槽，形成具有空气隙的填充层，所述空气隙至少位于所述第二凹槽内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其形成方法

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