申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2021-09-13

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115811881A

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.04#实质审查的生效;2023.03.17#公开

摘要：本发明实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，制造方法包括：提供基底，所述基底内具有相互分立的有源区以及位于相邻有源区之间的隔离结构；所述有源区包括中心区和位于所述中心区两侧的边缘区；在垂直于所述基底顶面的方向上，去除所述中心区的至少部分厚度的所述有源区，以形成位于所述有源区内的凹槽，所述凹槽具有开口；形成位线接触层，所述位线接触层封闭所述凹槽的所述开口，所述位线接触层和所述有源区围成间隙。本发明实施例能够提高半导体结构存储的数据的准确性。

主权项：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内具有相互分立的有源区以及位于相邻有源区之间的隔离结构；所述有源区包括中心区和位于所述中心区两侧的边缘区；在垂直于所述基底顶面的方向上，去除所述中心区的至少部分厚度的所述有源区，以形成位于所述有源区内的凹槽，所述凹槽具有开口；形成位线接触层，所述位线接触层封闭所述凹槽的所述开口，所述位线接触层和所述有源区围成间隙。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制造方法和半导体结构

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