申请/专利权人：联华电子股份有限公司

申请日：2021-09-14

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115811882A

主分类号：H10B20/25

分类号：H10B20/25

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.03.17#公开

摘要：本发明公开一种半导体结构，包括绝缘体上半导体基底、第一导电结构以及第二导电结构。绝缘体上半导体基底包括底部基底、设置在埋入式绝缘层上的埋入式绝缘层、设置在埋入式绝缘层上的半导体层以及设置在底部基底与埋入式绝缘层之间的高捕捉层。第一导电结构的至少一部分以及第二导电结构的至少一部分设置在高捕捉层中。高捕捉层的一部分设置在第一导电结构与第二导电结构之间，且第一导电结构、第二导电结构以及设置在第一导电结构与第二导电结构之间的高捕捉层为一反熔丝结构的至少一部分。

主权项：1.一种半导体结构，包括：绝缘体上半导体基底，包括：底部基底；埋入式绝缘层，设置在该底部基底上；半导体层，设置在该埋入式绝缘层上；以及高捕捉层，设置在该底部基底与该埋入式绝缘层之间；第一导电结构，其中该第一导电结构的至少一部分设置在该高捕捉层中；以及第二导电结构，其中该第二导电结构的至少一部分设置在该高捕捉层中，该高捕捉层的一部分设置在该第一导电结构与该第二导电结构之间，且该第一导电结构、该第二导电结构以及设置在该第一导电结构与该第二导电结构之间的该高捕捉层为反熔丝结构的至少一部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 联华电子股份有限公司 半导体结构

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