申请/专利权人：旺宏电子股份有限公司

申请日：2021-09-24

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115810657A

主分类号：H01L29/40

分类号：H01L29/40;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336

优先权：["20210913 US 17/473,730"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.04#实质审查的生效;2023.03.17#公开

摘要：本公开提供一种半导体元件，包括：基底；源极区与漏极区位于所述基底中；栅极结构，位于所述源极区与所述漏极区之间的所述基底中；绝缘层，位于栅极结构与所述漏极区之间；多个场板，位于所述绝缘层上，其中最接近所述栅极结构的所述场板与所述源极区电性连接；第一阱区，位于所述基底中；本体接触区，位于所述第一阱区中，其中所述本体接触区与所述源极区以及最接近所述栅极结构的所述场板电性连接；以及第一掺杂漂移区，位于所述基底中，其中所述栅极结构位于所述第一阱区与所述第一掺杂漂移区之间，且所述漏极区位于所述第一掺杂漂移区内。

主权项：1.一种半导体元件，包括：基底；源极区与漏极区位于所述基底中；栅极结构，位于所述源极区与所述漏极区之间的所述基底上；绝缘层，位于所述栅极结构与所述漏极区之间；多个场板，位于所述绝缘层上，其中最接近所述栅极结构的所述场板与所述源极区电性连接；第一阱区，位于所述基底中；本体接触区，位于所述第一阱区中，其中所述本体接触区与所述源极区以及最接近所述栅极结构的所述场板电性连接；以及第一掺杂漂移区，位于所述基底中，其中所述栅极结构位于所述第一阱区与所述第一掺杂漂移区之间，且所述漏极区位于所述第一掺杂漂移区内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 旺宏电子股份有限公司 半导体元件及其制造方法

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