申请/专利权人：爱思开海力士有限公司

申请日：2022-04-11

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115811884A

主分类号：H10B41/35

分类号：H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27

优先权：["20210913 KR 10-2021-0121617"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.04#实质审查的生效;2023.03.17#公开

摘要：本技术涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。半导体装置包括：第一源极层，其与基板间隔开并与基板的单元区域交叠；第二源极层，其与基板间隔开并与基板的放电接触区域交叠；单元层叠物，其包括交替层叠在第一源极层上的单元层间绝缘层和导电图案；以及沟道结构，其穿过单元层叠物并延伸到第一源极层中。沟道结构包括穿过单元层叠物的上沟道结构和延伸到第一源极层中的下沟道结构，并且上沟道结构和下沟道结构的连接部分具有瓶颈图案。

主权项：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一源极层，所述第一源极层与基板间隔开并与所述基板的单元区域交叠；第二源极层，所述第二源极层与所述基板间隔开并与所述基板的放电接触区域交叠；单元层叠物，所述单元层叠物包括交替层叠在所述第一源极层上的单元层间绝缘层和导电图案；以及沟道结构，所述沟道结构穿过所述单元层叠物并延伸到所述第一源极层中，其中，所述沟道结构包括穿过所述单元层叠物的上沟道结构和延伸到所述第一源极层中的下沟道结构，并且所述上沟道结构和所述下沟道结构的连接部分具有瓶颈图案。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体装置及制造半导体装置的方法

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