申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司
申请日:2022-06-23
公开(公告)日:2023-03-17
公开(公告)号:CN115810592A
主分类号:H01L23/367
分类号:H01L23/367;H01L23/373;H01L21/50;H01L23/538;H01L21/768;H01L23/10
优先权:["20211117 US 63/264,194","20220218 US 17/651,665"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.04.04#实质审查的生效;2023.03.17#公开
摘要:一种形成半导体结构的方法包括在第一晶圆上形成第一接合层,以及形成延伸至第一接合层中的第一导热通道。第一导热通道的第一导热率值高于第一接合层的第二导热率值。该方法还包括在第二晶圆上形成第二接合层,以及形成延伸至第二接合层中的第二导热通道。第二导热通道的第三导热率值高于第二接合层的第四导热率值。将第一晶圆接合至第二晶圆,并且第一导热通道至少物理接触第二导热通道。在第一晶圆上方形成互连结构。互连结构电连接至第一晶圆中的集成电路器件。本发明的实施例还涉及半导体结构。
主权项:1.一种形成半导体结构的方法,包括:在第一晶圆上形成第一接合层;形成延伸至所述第一接合层中的第一导热通道,其中,所述第一导热通道的第一导热率值高于所述第一接合层的第二导热率值;在第二晶圆上形成第二接合层;形成延伸至所述第二接合层中的第二导热通道,其中,所述第二导热通道的第三导热率值高于所述第二接合层的第四导热率值;将所述第一晶圆接合至所述第二晶圆,其中,所述第一导热通道至少物理接触所述第二导热通道;以及在所述第一晶圆上方形成互连结构,其中,所述互连结构电连接至所述第一晶圆中的集成电路器件。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构及其形成方法
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