申请/专利权人：铠侠股份有限公司

申请日：2022-06-30

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115811928A

主分类号：H10N50/80

分类号：H10N50/80;H10N50/10;H10N59/00;G11C11/16

优先权：["20210914 JP 2021-149336","20220301 US 17/684104"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.04#实质审查的生效;2023.03.17#公开

摘要：本发明涉及磁存储器装置。实施例提供了一种能够减小写入操作的负荷的磁存储器装置。一般而言，根据一个实施例，一种磁存储器装置包括三端子型存储器基元。第一端子连接到第一导体层。第二端子连接到第二导体层。第三端子连接到第三导体层。存储器基元包括连接到第一导体层、第二导体层和第三导体层的第四导体。存储器基元的磁阻效应元件耦接在第三导体层与第四导体层之间。第一切换元件耦接到第二导体层和第四导体层。第二切换元件耦接到第一导体层和第三导体层。第四导体层包括第一铁磁层和第一非磁性层。第一非磁性层包括钌、铱、铑或锇中的至少一种。

主权项：1.一种磁存储器装置，包括：三端子型存储器基元，所述存储器基元具有连接到第一导体层的第一端子、连接到第二导体层的第二端子以及连接到第三导体层的第三端子，其中，所述存储器基元包括：第四导体层，其具有连接到所述第一导体层的第一部分、连接到所述第二导体层的第二部分以及连接到所述第三导体层的第三部分，所述第三部分在所述第一部分与所述第二部分之间，磁阻效应元件，其耦接在所述第三导体层与所述第四导体层之间，第一切换元件，其耦接在所述第二导体层与所述第四导体层之间，以及第二切换元件，其耦接在所述第一导体层与所述第三导体层之间，所述第四导体层包括：第一铁磁层，以及在所述第一铁磁层与所述磁阻效应元件之间的第一非磁性层，以及所述第一非磁性层包括选自钌、铱、铑和锇的第一元素。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 铠侠股份有限公司 磁存储器装置

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