申请/专利权人：恩智浦美国有限公司

申请日：2022-07-08

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115810382A

主分类号：G11C13/00

分类号：G11C13/00;G06F21/79

优先权：["20210915 US 17/447,746"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.03.17#公开

摘要：一种集成电路IC装置包括：非易失性存储器装置，其具有非易失性存储器单元阵列；以及隔离电路，其被配置成在对所述存储器单元中的一者的隐藏写入操作期间将来自内部电压源的电压传导到所述存储器单元中的所述一者，并且在对所述存储器单元中的所述一者的非隐藏写入操作期间将来自外部电压源的电压传导到所述存储器单元中的所述一者。可在所述非隐藏写入操作期间在所述IC装置外部监测所述外部电压源处的电流，并且由电容器提供无法在所述隐藏写入操作期间在所述IC装置外部监测的所述内部电压源的电流。

主权项：1.一种集成电路IC装置，其特征在于，包括：输入输出IO衬垫，其被配置成传导来自电源电压的电压；存储器电路，包括：包括数行和数列存储器单元的非易失性存储器NVM单元阵列，使用选定行的字线以及选定列的位线和源极线存取特定存储器单元；具有无法在所述集成电路装置或所述存储器电路外部测量的电流分布的内部电源电压；由写入类型指示符控制的隔离电路，其中当所述写入类型指示符指示隐藏写入操作时，所述隔离电路使所述内部电源电压与所述电源电压隔离，并且由所述隔离电路选择所述内部电源电压以沿着所述NVM单元阵列的选定列中的位线执行所述隐藏写入操作。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 恩智浦美国有限公司 电阻式存储器中的隐藏写入

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