申请/专利权人：苏州晶湛半导体有限公司

申请日：2020-08-13

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115812246A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.04#实质审查的生效;2023.03.17#公开

摘要：本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：自下而上分布的半导体衬底、背势垒层、沟道层与刻蚀终止层；以及位于刻蚀终止层上的源极区域与漏极区域的P型半导体层。由于刻蚀终止层的设置，使得刻蚀去除栅极区域的P型半导体层时，可停止在刻蚀终止层，能准确控制刻蚀深度、不会造成沟道层的刻蚀损伤，从而可以提高半导体结构中沟道内的空穴载流子的迁移率，提高器件的良率及性能。

主权项：一种半导体结构，其特征在于，包括：自下而上分布的半导体衬底10、背势垒层11a、沟道层11b与刻蚀终止层12；以及位于所述刻蚀终止层12上的源极区域与漏极区域的P型半导体层13。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州晶湛半导体有限公司 半导体结构及其制作方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD