申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所

申请日：2021-07-13

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115812350A

主分类号：H10K85/60

分类号：H10K85/60;H10K85/30;H10K50/15;H10K50/16;H10K50/11;H10K50/17

优先权：["20200724 JP 2020-125997"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.07.25#实质审查的生效;2023.03.17#公开

摘要：本发明的一个方式提供一种发光效率高且廉价的发光器件。提供一种发光器件，该发光器件包括阳极、阴极及位于上述阳极与上述阴极之间的EL层，上述EL层包括空穴传输区域、发光层及电子传输区域，上述空穴传输区域位于上述阳极与上述发光层之间，上述电子传输区域位于上述阴极与上述发光层之间，上述空穴传输区域包含磺酸化合物、氟化合物和金属氧化物中的任一个，上述电子传输区域包含具有电子传输性的有机化合物，上述具有电子传输性的有机化合物对于波长为455nm以上且465nm以下的光的寻常光折射率为1.50以上且1.75以下。

主权项：1.一种发光器件，包括：阳极；阴极；以及位于所述阳极与所述阴极之间的EL层，其中，所述EL层包括空穴传输区域、发光层及电子传输区域，所述空穴传输区域位于所述阳极与所述发光层之间，所述电子传输区域位于所述阴极与所述发光层之间，所述空穴传输区域包括通过涂敷并焙烧包含磺酸化合物的清漆而形成的层，所述电子传输区域包含具有电子传输性的有机化合物，并且，所述具有电子传输性的有机化合物对于波长为455nm以上且465nm以下的光的寻常光折射率为1.50以上且1.75以下。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社半导体能源研究所 发光器件、发光装置、电子设备及照明装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD