申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2022-08-05

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115810658A

主分类号：H01L29/40

分类号：H01L29/40;H01L29/78;H10B20/25

优先权：["20210913 KR 10-2021-0121561"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.03.17#公开

摘要：一种晶体管包括：栅极结构，设置在衬底上并包括栅极绝缘层和栅电极；第一杂质区，设置在衬底的上部并与栅极结构的第一侧壁相邻；第二杂质区，设置在衬底的上部并与栅极结构的和第一侧壁相对的第二侧壁相邻；以及第一阈值电压控制线，与衬底间隔开，其中第一阈值电压控制线面向第一杂质区的至少一部分，其中第一阈值电压控制线包括导电材料，并且其中第一阈值电压控制线沿与第一杂质区延伸的方向交叉的方向延伸。

主权项：1.一种晶体管，包括：栅极结构，设置在衬底上并包括栅极绝缘层和栅电极，其中所述栅极结构沿第一方向延伸；第一杂质区，设置在所述衬底的上部并与所述栅极结构的第一侧壁相邻；第二杂质区，设置在所述衬底的上部并与所述栅极结构的和所述第一侧壁相对的第二侧壁相邻；以及第一阈值电压控制线，与所述衬底间隔开，其中所述第一阈值电压控制线面向所述第一杂质区的至少一部分，其中所述第一阈值电压控制线包括导电材料，并且其中所述第一阈值电压控制线沿所述第一方向延伸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 能够电控制阈值电压的晶体管和包括该晶体管的半导体器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD