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【发明公布】存储装置_铠侠股份有限公司_202211060325.X 

申请/专利权人:铠侠股份有限公司

申请日:2022-08-31

公开(公告)日:2023-03-17

公开(公告)号:CN115811926A

主分类号:H10N50/10

分类号:H10N50/10;H10N50/80;H10N50/85;H10N59/00

优先权:["20210914 JP 2021-149447","20211214 US 17/550194"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.04.04#实质审查的生效;2023.03.17#公开

摘要:实施方式提供能够使存储装置的特性提高的存储装置。实施方式的存储装置具备:第1布线,其在与基板的第1面垂直的第1方向上设置在所述基板的上方;第2布线,其设置在所述基板与所述第1布线之间;以及存储单元,其设置在所述第1布线与所述第2布线之间,包括在所述第1方向上排列的开关元件和磁阻效应元件。所述磁阻效应元件包括:第1电极;第2电极,其在所述第1方向上设置在所述第1电极的上方;非磁性层,其设置在所述第1电极与所述第2电极之间;第1磁性层,其设置在所述第1电极与所述非磁性层之间;第2磁性层,其设置在所述第2电极与所述非磁性层之间;以及第1层,其设置在所述第2电极与所述第2磁性层之间。所述第1层包含选自镁、过渡金属以及镧系元素中的至少一种和氧。所述第1层的所述第1方向上的第1尺寸为所述非磁性层的所述第1方向上的第2尺寸的1.1倍以上且2倍以下。

主权项:1.一种存储装置,具备:第1布线,其在与基板的第1面垂直的第1方向上设置在所述基板的上方;第2布线,其设置在所述基板与所述第1布线之间;以及存储单元,其设置在所述第1布线与所述第2布线之间,包括在所述第1方向上排列的开关元件和磁阻效应元件,所述磁阻效应元件包括:第1电极;第2电极,其在所述第1方向上设置在所述第1电极的上方;非磁性层,其设置在所述第1电极与所述第2电极之间;第1磁性层,其设置在所述第1电极与所述非磁性层之间;第2磁性层,其设置在所述第2电极与所述非磁性层之间;以及第1层,其设置在所述第2电极与所述第2磁性层之间,所述第1层包含选自镁、过渡金属以及镧系元素中的至少一种和氧,所述第1层的所述第1方向上的第1尺寸为所述非磁性层的所述第1方向上的第2尺寸的1.1倍以上且2倍以下。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 铠侠股份有限公司 存储装置

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