申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2022-09-07

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115810653A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L27/088;H01L21/8234

优先权：["20210915 KR 10-2021-0122934"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.03.17#公开

摘要：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一有源图案，在第一方向上延伸；第二有源图案，在第一方向上延伸，第一有源图案设置在第二有源图案与基底之间；栅极结构，在第二方向上延伸，第一有源图案和第二有源图案穿过栅极结构，并且第二方向与第一方向交叉；第一源漏区，与第一有源图案连接并且设置在栅极结构的侧面上；第二源漏区，与第二有源图案连接并且设置在第一源漏区上；第一绝缘结构，设置在基底与第一源漏区之间，第一绝缘结构不设置在基底与栅极结构之间；以及第二绝缘结构，设置在第一源漏区与第二源漏区之间。

主权项：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一有源图案，与基底间隔开并且在第一方向上延伸；第二有源图案，与基底间隔开并且在第一方向上延伸，第一有源图案设置在第二有源图案与基底之间；栅极结构，在基底上在第二方向上延伸，第一有源图案和第二有源图案穿过栅极结构，并且第二方向与第一方向交叉；第一源漏区，与第一有源图案连接并且设置在栅极结构的侧面上；第二源漏区，与第二有源图案连接并且设置在第一源漏区上；第一绝缘结构，设置在基底与第一源漏区之间，其中，第一绝缘结构不设置在基底与栅极结构之间；以及第二绝缘结构，设置在第一源漏区与第二源漏区之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体装置

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