申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

申请日：2022-11-21

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115810533A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;H01L21/67

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.04#实质审查的生效;2023.03.17#公开

摘要：本发明涉及一种用于硅外延片电阻测试的洗净工艺，所属半导体技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅外延片制作外侧后，采用单片清洗的模式，先采用HF溶液进行洗净。第二步：完成HF溶液清洗后，硅外延片立即用去离子水DIW冲洗。第三步：完成DIW洗净后，进行烘干处理。具有工艺简单和流程好控制的优点。保持与现有洗净方法效果一致，但减少了药液的使用量，大幅度降低了成本。同时缩短周期，从一般的40min缩短至3min以内。

主权项：1.一种用于硅外延片电阻测试的洗净工艺，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：硅外延片（4）制作外侧后，采用单片清洗的模式，先采用HF溶液进行洗净；第二步：完成HF溶液清洗后，硅外延片（4）立即用去离子水DIW冲洗；第三步：完成DIW洗净后，进行烘干处理。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 用于硅外延片电阻测试的洗净工艺

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