申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2022-11-29

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115810545A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.03.17#公开

摘要：一种超级结器件结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一外延层和主动电场介入层，第一外延层内具有第一离子，主动电场介入层内具有第二离子，第一离子的导电类型和第二离子的导电类型相同，第二离子的掺杂浓度小于第一离子的掺杂浓度；在第一外延层和主动电场介入层内形成若干超级结沟槽；在超级结沟槽内形成第二外延层，第二外延层内具有第三离子，第三离子的导电类型与第一离子的导电类型不同。通过在第一外延层内形成主动电场介入层，利用主动电场介入层将电场高峰引入体内，减少电场高峰对第一外延层上的器件结构造成影响，有效提升器件稳定性、反向击穿BV及EAS能力，进而提升器件结构的性能。

主权项：1.一种超级结器件结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一外延层和至少一层主动电场介入层，所述主动电场介入层位于所述第一外延层内，所述第一外延层内具有第一离子，所述主动电场介入层内具有第二离子，所述第一离子的导电类型和所述第二离子的导电类型相同，且所述第二离子的掺杂浓度小于所述第一离子的掺杂浓度；在所述第一外延层和所述主动电场介入层内形成若干相互分立的超级结沟槽；在所述超级结沟槽内形成第二外延层，所述第二外延层内具有第三离子，所述第三离子的导电类型与所述第一离子的导电类型不同。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 超级结器件结构及其形成方法

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