申请/专利权人：联合微电子中心有限责任公司

申请日：2022-11-30

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115810540A

主分类号：H01L21/28

分类号：H01L21/28;H01L21/3105

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.04#实质审查的生效;2023.03.17#公开

摘要：本发明提供栅极结构的制备方法和栅极结构，所述方法包括：在半导体衬底上依次制备若干个初始栅极和第一介质层；填充目标填充材料，在所述初始栅极间沟槽中形成具有第二深度的第一填充层；去除所述暴露介质层后得到目标栅极间沟槽；在所述目标栅极间沟槽内继续填充目标填充材料，并对所述目标填充材料和所述初始栅极进行研磨后，得到栅极结构；解决了现有技术中栅极结构中的沟槽填充存在空洞或缝隙等问题，本发明通过加大空洞以上的栅极间沟槽的宽度，使在第二次栅极间沟槽填充时既可以对已形成的空洞进行填充，也不会出现新的空洞或缝隙等缺陷，经过机械研磨后可得到平整的栅极结构，提高半导体器件的连接性能。

主权项：1.一种栅极结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在半导体衬底上依次制备若干个初始栅极和第一介质层，其中每个初始栅极间形成具有第一深度的初始栅极间沟槽且每个初始栅极的外表面被第一介质层包裹；填充目标填充材料，在所述初始栅极间沟槽中形成具有第二深度的第一填充层，其中所述第二深度小于所述第一深度，当前的第一介质层包括暴露介质层和被目标填充材料覆盖的隐藏介质层；去除所述暴露介质层后得到目标栅极间沟槽，其中所述目标栅极间沟槽的宽度大于所述初始栅极间沟槽的宽度；在所述目标栅极间沟槽内继续填充目标填充材料，并对所述目标填充材料和所述初始栅极进行研磨后，得到栅极结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 联合微电子中心有限责任公司 一种栅极结构的制备方法和栅极结构

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