申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2022-12-06

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115811883A

主分类号：H10B41/30

分类号：H10B41/30;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.04#实质审查的生效;2023.03.17#公开

摘要：本发明提供了一种闪存器件的制造方法，通过第一刻蚀工艺，去除开口暴露的控制栅层，此时控制栅层的靠近第一侧墙的顶角处存在突起；通过第二刻蚀工艺去除所述突起及开口暴露的层间介质层，以使所述第一侧墙的表面和所述控制栅层的侧壁的交界处平直；形成覆盖所述第一侧墙的表面和所述控制栅层的侧壁的第二侧墙；去除所述开口暴露的浮栅层，并在所述开口内形成字线；以及，去除所述硬掩模层及所述硬掩模层下方的控制栅层、层间介质层和浮栅层，以形成控制栅和浮栅。本发明通过第二刻蚀工艺去除第一刻蚀工艺中形成的突起，减少或避免第二侧墙出现厚度不均匀或断开的情况，拓宽了后续工艺的工艺窗口，改善了字线与控制栅之间的击穿电压。

主权项：1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅层、层间介质层、控制栅层和硬掩膜层，所述硬掩膜层上形成有暴露所述控制栅层的开口，且所述开口的侧壁上形成有第一侧墙；进行第一刻蚀工艺，去除所述开口暴露的控制栅层，使所述开口暴露所述层间介质层，所述控制栅层的靠近所述第一侧墙的顶角处存在突起；进行第二刻蚀工艺，去除所述突起以及所述开口暴露的层间介质层，以使所述第一侧墙的表面和所述控制栅层的侧壁的交界处平直；形成第二侧墙，所述第二侧墙覆盖所述第一侧墙的表面和所述控制栅层的侧壁；去除所述开口暴露的浮栅层，并在所述开口内形成字线；以及，去除所述硬掩模层及所述硬掩模层下方的控制栅层、层间介质层和浮栅层，以形成控制栅和浮栅。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 闪存器件的制造方法

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