申请/专利权人：浙江大学杭州国际科创中心

申请日：2022-12-15

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115810537A

主分类号：H01L21/263

分类号：H01L21/263

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.04#实质审查的生效;2023.03.17#公开

摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种采用质子辐照制备半绝缘碳化硅晶圆的方法以及相应的晶圆、器件；通过采用具有预定质子能量和预定质子剂量的质子辐照对碳化硅晶圆进行处理，在所述碳化硅晶圆中生成多种类型的点缺陷，形成符合电阻率要求的半绝缘碳化硅晶圆；本发明采用质子辐照来辐照碳化硅材料，产生多种类型的点缺陷，特别是复杂点缺陷，从而形成高质量半绝缘碳化硅晶圆；并同时设定合适的质子辐照的剂量和能量，从而增加辐照后碳化硅晶圆的电阻率和热稳定性。

主权项：1.一种采用质子辐照制备半绝缘碳化硅晶圆的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供碳化硅晶圆；采用具有预定质子能量和预定质子剂量的质子辐照对所述碳化硅晶圆进行处理，在所述碳化硅晶圆中生成多种类型的点缺陷，形成符合电阻率要求的半绝缘碳化硅晶圆。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江大学杭州国际科创中心 采用质子辐照制备半绝缘碳化硅晶圆的方法、晶圆及器件

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