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【发明公布】二极管器件_深圳市威兆半导体股份有限公司_202211652417.7 

申请/专利权人:深圳市威兆半导体股份有限公司

申请日:2022-12-21

公开(公告)日:2023-03-17

公开(公告)号:CN115810673A

主分类号:H01L29/861

分类号:H01L29/861;H01L29/06

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.04.04#实质审查的生效;2023.03.17#公开

摘要:本申请公开一种二极管器件,包括阴极、漂移层、P型掺杂部、多晶硅部、第一N型掺杂部、第二N型掺杂部以及阳极,漂移层设置于阴极上,P型掺杂部设置于漂移层远离阴极的一侧,P型掺杂部具有至少两个间隔设置的沟槽,沟槽还延伸入部分漂移层中,多晶硅部填充于沟槽中,第一N型掺杂部和第二N型掺杂部设置于P型掺杂部中且位于每两相邻的沟槽之间,第一N型掺杂部与第二N型掺杂部接触,阳极设置于P型掺杂部远离阴极的一侧。在本申请中,通过在P型掺杂部中设置有第一N型掺杂部和第二N型掺杂部,以中和掉部分P型掺杂部的掺杂浓度,从而降低正向导通时空穴的注入效率。

主权项:1.一种二极管器件,其特征在于,包括:阴极;漂移层,设置于所述阴极上;P型掺杂部,设置于所述漂移层远离所述阴极的一侧,所述P型掺杂部具有至少两个间隔设置的沟槽,所述沟槽还延伸入部分所述漂移层中;多晶硅部,所述多晶硅部填充于所述沟槽中;第一N型掺杂部和第二N型掺杂部,设置于所述P型掺杂部中,且位于每两相邻的所述沟槽之间,所述第一N型掺杂部与所述第二N型掺杂部接触;以及阳极,设置于所述P型掺杂部远离所述阴极的一侧。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 深圳市威兆半导体股份有限公司 二极管器件

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