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【发明公布】GaN器件及其制备方法_浙江芯科半导体有限公司_202211654188.2 

申请/专利权人:浙江芯科半导体有限公司

申请日:2022-12-22

公开(公告)日:2023-03-17

公开(公告)号:CN115810661A

主分类号:H01L29/51

分类号:H01L29/51;H01L29/78;H01L21/336

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.04.04#实质审查的生效;2023.03.17#公开

摘要:本申请公开了GaN器件及其制备方法,其中,GaN器件包括:GaN衬底和外延片,外延片设置在GaN衬底的第一表面;栅介质层窗口,位于外延片上;CaF2薄膜,形成在栅介质层窗口上;Al2O3薄膜,形成在CaF2薄膜上,Al2O3薄膜与CaF2薄膜形成栅介质层;多晶硅层,形成在栅介质层的表面;钝化层,形成在外延片和多晶硅层的表面,钝化层具有第一窗口和第二窗口;栅金属电极,形成在第一窗口上,与多晶硅层电连接;源金属电极,形成在第二窗口上;漏金属电极,形成在GaN衬底的第二表面。本申请的GaN器件可以避免栅介质层与GaN界面处C族聚集的现象,从而提高界面特性;C可以有效降低栅极泄露电流,提高GaN器件的抗击穿能力和器件稳定性。

主权项:1.一种GaN器件,其特征在于,包括:GaN基材,所述GaN基材具有GaN衬底和外延片,所述GaN衬底具有第一表面和第二表面,所述外延片设置在GaN衬底的第一表面;栅介质层窗口,位于所述外延片上;CaF2薄膜,形成在所述栅介质层窗口上;Al2O3薄膜,形成在所述CaF2薄膜上,Al2O3薄膜与所述CaF2薄膜形成栅介质层;多晶硅层,形成在所述栅介质层的表面;钝化层,形成在所述外延片和多晶硅层的表面,所述钝化层具有第一窗口和第二窗口,所述第一窗口与所述多晶硅层对应,所述第二窗口与所述外延片对应;栅金属电极,形成在所述第一窗口上,与所述多晶硅层电连接;源金属电极,形成在所述第二窗口上;漏金属电极,形成在所述GaN衬底的第二表面。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 浙江芯科半导体有限公司 GaN器件及其制备方法

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