申请/专利权人：住友化学株式会社

申请日：2019-05-14

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN110499533B

主分类号：C30B29/38

分类号：C30B29/38;C30B29/40;C30B25/18

优先权：["20180516 JP 2018-094775"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.17#授权;2021.03.16#实质审查的生效;2019.11.26#公开

摘要：本发明涉及氮化物晶体基板以及氮化物晶体基板的制造方法，提供一种能够使氮化物晶体基板中的载流子浓度和迁移率中的至少任一者大致均匀地分布的技术。一种氮化物晶体基板，其具有主面，由III族氮化物的晶体形成，将基于利用反射型傅立叶变换红外光谱法测定的主面的反射率而求出的氮化物晶体基板的主面侧的载流子浓度设为NIR、将基于氮化物晶体基板的电阻率和利用涡流法测定的氮化物晶体基板的迁移率而求出的氮化物晶体基板中的载流子浓度设为NElec时，主面中央的载流子浓度NIR相对于载流子浓度NElec的比率NIRNElec满足式10.5≤NIRNElec≤1.5。

主权项：1.一种氮化物晶体基板，其具有主面，且由包含n型杂质的III族氮化物的晶体形成，所述氮化物晶体基板的厚度为150μm以上，将基于利用反射型傅立叶变换红外光谱法测定的所述主面的反射率而求出的所述氮化物晶体基板的所述主面侧的载流子浓度设为NIR、将基于所述氮化物晶体基板的电阻率和利用涡流法测定的所述氮化物晶体基板的迁移率而求出的所述氮化物晶体基板中的载流子浓度设为NElec时，所述主面的中央的所述载流子浓度NIR相对于所述载流子浓度NElec的比率NIRNElec满足式1，将波长设为λμm、将27℃下的所述氮化物晶体基板的吸收系数设为αcm-1、将基于所述氮化物晶体基板的电阻率和利用涡流法测定的所述氮化物晶体基板的迁移率而求出的所述氮化物晶体基板中的自由电子浓度设为Necm-3、将K和a分别设为常数时，通过最小二乘法利用式3对至少1μm以上且3.3μm以下的波长范围内的所述吸收系数α进行近似，在波长2μm下，实测的所述吸收系数相对于由式3求出的所述吸收系数α的误差为±0.1α以内，0.5≤NIRNElec≤1.5···1α＝NeKλa···3其中，1.5×10-19≤K≤6.0×10-19、a＝3。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 住友化学株式会社 氮化物晶体基板以及氮化物晶体基板的制造方法

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