申请/专利权人：北京航空航天大学

申请日：2020-12-31

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN113451503B

主分类号：H10N50/10

分类号：H10N50/10;H10N50/80;H10N59/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.17#授权;2021.10.22#实质审查的生效;2021.09.28#公开

摘要：本发明提供了一种多功能磁性随机存储单元、存储器及设备，多功能磁性随机存储单元包括自旋轨道耦合层、设于所述自旋轨道耦合层上的至少一个磁隧道结以及外加磁场，其中，所述至少一个磁隧道结的自由层受到DMI效应作用；当向所述自旋轨道耦合层输入第一自旋轨道矩电流时，所述磁隧道结的阻态与自旋轨道矩电流的方向对应；当向所述自旋轨道耦合层输入第二自旋轨道矩电流时，所述磁隧道结的阻态发生改变，本发明可使磁隧道结可以在不同自旋轨道矩电流输入条件下分别实现单极性翻转和双极性翻转。

主权项：1.一种多功能磁性随机存储单元，其特征在于，包括自旋轨道耦合层、设于所述自旋轨道耦合层上的至少一个磁隧道结以及外加磁场，其中，所述至少一个磁隧道结的自由层受到DMI效应作用；当向所述自旋轨道耦合层输入第一自旋轨道矩电流时，所述磁隧道结的阻态与自旋轨道矩电流的方向对应；当向所述自旋轨道耦合层输入第二自旋轨道矩电流时，所述磁隧道结的阻态发生改变；所述第一自旋轨道矩电流小于第一临界电流，所述第二自旋轨道矩电流大于第一临界电流且小于第二临界电流，所述第一临界电流和所述第二临界电流根据所述外加磁场的强度和所述DMI效应的强度确定；或者，所述第一自旋轨道矩电流大于第二临界电流，所述第二自旋轨道矩电流大于第一临界电流且小于第二临界电流，所述第一临界电流和所述第二临界电流根据所述外加磁场的强度和所述DMI效应的强度确定。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京航空航天大学 多功能磁性随机存储单元、存储器及设备

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD