申请/专利权人:东莞市鸿亿导热材料有限公司
申请日:2022-01-19
公开(公告)日:2023-03-17
公开(公告)号:CN114349513B
主分类号:C04B35/532
分类号:C04B35/532;C04B35/622;C04B41/87;H01M50/593;H01M10/613;H01M10/625;H01M10/653;H01M10/6554
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.03.17#授权;2022.05.03#实质审查的生效;2022.04.15#公开
摘要:本申请涉及散热片技术领域,更具体地说,涉及一种绝缘散热片制备工艺及绝缘散热片,该制备工艺包括如下步骤:A、制备混合料:将石墨粉、绝缘填料、二氧化硅和溶剂进行混合,进行球磨,得到混合物,再将有机聚合物、助剂加入至所述混合物中,继续研磨均匀后得到混合料;B、制基片:将步骤A制得的混合料延压成膜,碳化,碳化温度为1500~1700℃,制得基片;C、制膜:将步骤B的基片加入反应釜中,抽真空,升温,降低反应釜内的压强,并通入氨气和二氯氢硅,反应5~6h,得到绝缘散热片。通过本申请工艺制得绝缘散热片的绝缘性能好、电阻率高、散热性能好、体积小、重量轻,用于电池散热,可进一步减少电池整体体积和重量。
主权项:1.一种绝缘散热片制备工艺,其特征在于:该制备工艺包括如下步骤:A、制备混合料:将石墨粉、绝缘填料、二氧化硅和溶剂进行混合,进行球磨,得到混合物,再将有机聚合物、助剂加入至所述混合物中,继续研磨均匀后得到混合料;B、制基片:将步骤A制得的混合料延压成膜,碳化,碳化温度为1500~1700℃,制得基片;C、制膜:将步骤B的基片加入反应釜中,抽真空,升温,降低反应釜内的压强,并通入氨气和二氯氢硅,反应5~10h,得到绝缘散热片。
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权利要求:
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