申请/专利权人：武汉敏芯半导体股份有限公司

申请日：2022-09-07

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115377798B

主分类号：H01S5/183

分类号：H01S5/183

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.17#授权;2022.12.09#实质审查的生效;2022.11.22#公开

摘要：本申请实施例公开了一种高速EML激光器电吸收调制区结构及其制备方法，本申请实施例提供的激光器包括了外延片和依次设置在外延片之上的第一氧化硅介质层、第一BCB层、第二BCB层和介质层，如此设置一方面，选用了低介电常数的材料，可以降低激光器的寄生电容；另一方面，提升了BCB膜的总厚度，并减轻因为BCB膜的厚度提升带来的边缘堆胶问题和光刻后精度变低问题，能够提高激光器的良品率，便于提高光刻精度，可以提高激光器的质量。

主权项：1.一种高速EML激光器电吸收调制区结构，其特征在于，包括：外延片；第一氧化硅介质层，设置在所述外延片上；第一BCB层，设置在所述第一氧化硅介质层上；第二BCB层，设置在所述第一BCB层上；介质层，覆盖在所述第二BCB层上；氮化硅介质层，覆盖在所述第二BCB层上；第二氧化硅介质层，覆盖在所述氮化硅介质膜上；其中，所述氮化硅介质层的厚度为100nm至250nm，所述第二氧化硅介质层的厚度为250nm至350nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉敏芯半导体股份有限公司 高速EML激光器电吸收调制区结构及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD