申请/专利权人：华芯半导体研究院(北京)有限公司;华芯半导体科技有限公司

申请日：2022-12-26

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115635380B

主分类号：B24B7/22

分类号：B24B7/22;B24B41/00;B24B55/06;B24B49/00;C30B23/02;C30B25/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.17#授权;2023.02.14#实质审查的生效;2023.01.24#公开

摘要：本申请公开了一种气相外延生长辅助装置，包括：装置本体，可移动的设于石墨盘上方，石墨盘位于气相外延生长设备内，并且，石墨盘表面的中心区域设有片坑，片坑用于放置待生长的半导体晶圆；行走机构，连接于装置本体，并用于移动装置本体；升降机构，行走机构通过升降机构连接装置本体，并且，升降机构能够升降装置本体；抓取机构，设于装置本体上，用于抓取半导体晶圆；研磨机构，设于装置本体上，用于对片坑表面沉积的外延材料进行研磨；除尘机构，设于装置本体上，用于除去研磨产生的粉尘。本申请的辅助装置能够解放人工，同时避免人工操作引起的误差和误操作，从而保证产品良率。

主权项：1.一种气相外延生长辅助装置，其特征在于，包括：装置本体，可移动的设于石墨盘上方，所述石墨盘位于气相外延生长设备内，并且，所述石墨盘表面的中心区域设有片坑，所述片坑用于放置待生长的半导体晶圆；行走机构，连接于所述装置本体，并用于移动所述装置本体；升降机构，所述行走机构通过所述升降机构连接所述装置本体，并且，所述升降机构能够升降所述装置本体；抓取机构，设于所述装置本体上，用于抓取所述半导体晶圆；研磨机构，设于所述装置本体上，用于对所述片坑表面沉积的外延材料进行研磨；除尘机构，设于所述装置本体上，用于除去研磨产生的粉尘；控制器，分别连接所述行走机构、所述升降机构、所述抓取机构、所述研磨机构和所述除尘机构，以进行系统控制；所述装置本体上设有转盘，所述装置本体通过所述转盘连接所述研磨机构及所述除尘机构，并能够通过所述转盘旋转所述研磨机构及所述除尘机构，以使所述研磨机构及所述除尘机构沿所述片坑的周向移动。

全文数据：

权利要求：

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