申请/专利权人：青岛物元技术有限公司

申请日：2022-12-23

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN115831756A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/06;H01L29/43;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.07#实质审查的生效;2023.03.21#公开

摘要：本发明涉及一种半导体装置的制造方法及半导体装置。半导体装置的制造方法包括以下步骤：在半导体基底上形成栅极沟槽；在栅极沟槽内形成栅极电介质；在栅极电介质之上填充多晶硅至高于栅极沟槽的表面；利用化学机械研磨工艺进行平坦化至露出栅极沟槽的开口，并且在栅极沟槽的开口处至栅极沟槽内的填充区域形成凹陷；去除栅极沟槽内的多晶硅；以金属材料填充栅极沟槽内的剩余区域。该半导体装置的制造方法可以在填充金属材料之前，降低栅极沟槽待填充区域的深宽比，并且增大栅极沟槽待填充区域开口的尺寸，使得后续金属材料填充不易产生空隙等缺陷，提高半导体装置的电性良率。

主权项：1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在半导体基底上形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽内形成栅极电介质；在所述栅极电介质之上填充多晶硅至高于所述栅极沟槽的表面；利用化学机械研磨工艺进行平坦化至露出所述栅极沟槽的开口，并且在所述栅极沟槽的开口处至所述栅极沟槽内的填充区域形成凹陷；去除所述栅极沟槽内的所述多晶硅；以金属材料填充所述栅极沟槽内的剩余区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 青岛物元技术有限公司 半导体装置的制造方法及半导体装置

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