申请/专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司

申请日：2022-12-26

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN115831864A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L23/538

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.07#实质审查的生效;2023.03.21#公开

摘要：本申请涉及晶圆加工领域，公开了一种晶圆加工方法和晶圆键合结构，包括制备预制晶圆结构体，预制晶圆结构体包括叠层膜结构，叠层膜结构包括第一区域和第二区域，叠层膜结构包括第一介质层，第一介质层中第一区域形成有第一沟槽，第一介质层中第二区域形成有第二沟槽，第一沟槽深度小于第二沟槽的深度；对预制晶圆结构体进行金属化，形成金属化第一沟槽和金属化第二沟槽；去除叠层膜结构上的金属；抛光第一区域和第二区域的第一介质层；第一介质层的抛光厚度大于或等于第一沟槽在第一介质层中的深度，抛光过程中通过金属化第一沟槽减小第一区域和第二区域的台阶差。本申请通过深度不同的沟槽降低晶圆不同区域间的台阶差，进而形成比较平坦的表面。

主权项：1.一种晶圆加工方法，其特征在于，包括：制备预制晶圆结构体，所述预制晶圆结构体包括叠层膜结构，所述叠层膜结构包括第一区域和第二区域，所述叠层膜结构包括第一介质层，所述第一介质层中所述第一区域形成有第一沟槽，所述第一介质层中所述第二区域形成有第二沟槽，所述第一沟槽深度小于所述第二沟槽的深度；对所述预制晶圆结构体进行金属化，形成金属化第一沟槽和金属化第二沟槽；去除所述叠层膜结构上的金属；抛光所述第一区域和所述第二区域的所述第一介质层；所述第一介质层的抛光厚度大于或等于所述第一沟槽在所述第一介质层中的深度，抛光过程中通过所述金属化第一沟槽减小所述第一区域和所述第二区域的台阶差。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 一种晶圆加工方法和晶圆键合结构

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