申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司

申请日：2021-05-19

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN115836395A

主分类号：H01L29/786

分类号：H01L29/786

优先权：["20200713 JP 2020-119898"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.07.28#实质审查的生效;2023.03.21#公开

摘要：提供了一种半导体装置，其能够在降低寄生电容的同时实现高可靠性，并且能够在抑制制造成本增加的同时防止栅极泄漏缺陷。该半导体装置包括具有掩埋绝缘膜和设置在掩埋绝缘膜上并形成有半导体元件的半导体层的基板、设置在半导体层上并且在从上方观察基板的情况下具有从半导体层的中央部分延伸到半导体层的每个端部的布线、设置在半导体层上的源极接触通孔和漏极接触通孔、以及设置在半导体层的端部与栅电极的布线相交的区域附近的突出部分，该突出部分包括与半导体层的材料相同的材料并且从半导体层的侧表面向外突出。半导体层的端部的至少一部分具有厚膜区，每个厚膜区具有比半导体层的栅电极正下方的部分更大的膜厚。源极接触通孔和漏极接触通孔设置在厚膜区以外的区域中。

主权项：1.一种半导体装置，包括：基板，具有掩埋绝缘膜和设置在掩埋绝缘膜上并形成有半导体元件的半导体层；栅电极，设置在所述半导体层上，并且在从上方观察所述基板的情况下具有从所述半导体层的中央部分延伸到所述半导体层的每个端部的布线；设置在所述半导体层上的源极接触通孔和漏极接触通孔；以及设置在所述半导体层的所述端部与所述栅电极的所述布线相交的区域附近的突出部分，所述突出部分包括与所述半导体层的材料相同的材料并且从所述半导体层的侧表面向外突出，其中所述半导体层的所述端部的至少一部分具有厚膜区，每个厚膜区具有比所述半导体层的所述栅电极正下方的部分更大的膜厚，所述源极接触通孔和所述漏极接触通孔设置在所述厚膜区以外的区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 索尼半导体解决方案公司 半导体装置及半导体装置的制造方法

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