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【发明公布】光刻膜形成用组合物、抗蚀图案形成方法和电路图案形成方法_三菱瓦斯化学株式会社_202180048432.8 

申请/专利权人:三菱瓦斯化学株式会社

申请日:2021-07-08

公开(公告)日:2023-03-21

公开(公告)号:CN115836045A

主分类号:C07C39/14

分类号:C07C39/14

优先权:["20200708 JP 2020-118023","20200807 JP 2020-135055"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.05.26#实质审查的生效;2023.03.21#公开

摘要:本发明为一种光刻膜形成用组合物,其含有:选自具有规定结构的化合物和将其作为单体得到的树脂中的至少1种。

主权项:1.一种光刻膜形成用组合物,其含有:选自通式1所示的化合物、和通式3所示的化合物、以及式4所示的化合物、式5所示的化合物和将它们作为单体得到的树脂中的至少1种, 式1中,R各自独立地表示任选具有取代基或杂原子的碳数6~36的芳香族基团,X各自独立地表示任选具有取代基的、碳数2~4的烷二基、或碳数1~4的烷二基羰基,P各自独立地表示任选具有取代基的、碳数1~30的烷基、碳数6~30的芳基、碳数2~20的烯基、或碳数2~20的炔基、或者氢原子、交联性基团、或解离性基团,m各自独立地表示1~6的整数,n各自独立地表示0~4的整数, 式3中,R各自独立地表示任选具有取代基或杂原子的碳数6~36的芳香族基团,Rc各自独立地表示单键、任选具有取代基的碳数1~20的直链状或支链状的亚烷基、或任选具有取代基的碳数1~20的亚芳基,X各自独立地表示任选具有取代基的、碳数2~4的烷二基、或碳数1~4的烷二基羰基,P各自独立地表示任选具有取代基的、碳数1~30的烷基、碳数6~30的芳基、碳数2~20的烯基、或碳数2~20的炔基、或者氢原子、交联性基团、或解离性基团,m各自独立地表示1~6的整数,n各自独立地表示0~4的整数, 式4中,A各自独立地表示碳数6~10的芳香族基团,P各自独立地表示氢原子、碳数1~30的烷基、碳数6~30的芳基、碳数2~20的烯基、碳数2~20的炔基、交联性基团、或解离性基团,R1表示碳数6~10的芳香族取代基、或碳数1~20的烷基,Rx1各自独立地表示氢原子、碳数1~20的烷基、碳数1~20的烷氧基、或卤素,Ry1各自独立地表示氢原子、碳数1~20的烷基、碳数1~20的烷氧基、或卤素,m表示0~4的整数,n表示0~4的整数, 式5中,A各自独立地表示碳数6~10的芳香族基团,P各自独立地表示氢原子、碳数1~30的烷基、碳数6~30的芳基、碳数2~20的烯基、碳数2~20的炔基、交联性基团、或解离性基团,R2表示碳数6~10的芳香族取代基、或碳数1~20的烷基,Rx2各自独立地表示氢原子、碳数1~20的烷基、碳数1~20的烷氧基、或卤素,Ry2各自独立地表示氢原子、碳数1~20的烷基、碳数1~20的烷氧基、或卤素,m表示0~4的整数,n表示0~4的整数。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三菱瓦斯化学株式会社 光刻膜形成用组合物、抗蚀图案形成方法和电路图案形成方法

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