申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社

申请日：2022-02-14

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN115832003A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L27/07

优先权：["20210917 JP 2021-152087"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.07#实质审查的生效;2023.03.21#公开

摘要：实施方式提供一种能够在抑制回跳的同时降低损失的半导体装置。实施方式的半导体装置具有：第1电极；第1半导体层，在二极管区域中设置在第1电极上；第2半导体层，在IGBT区域中设置在第1电极上；半导体部，设置在第1半导体层及第2半导体层上，上层部中的位于二极管区域内而与IGBT区域相邻的第1区域的杂质浓度比位于二极管区域内而从IGBT区域隔开的第2区域的杂质浓度低；第3半导体层，设置在半导体部上；第4半导体层，在IGBT区域中设置在第3半导体层的上层部；第3电极，在从第4半导体层朝向半导体部的方向上延伸；以及绝缘膜，设置在第2电极、第3半导体层、半导体部及第3电极之间。

主权项：1.一种半导体装置，设定有二极管区域及IGBT区域，其具有：第1电极，跨越上述二极管区域及上述IGBT区域设置；第1导电型的第1半导体层，在上述二极管区域中设置在上述第1电极上；第2导电型的第2半导体层，在上述IGBT区域中设置在上述第1电极上；上述第1导电型的半导体部，设置在上述第1半导体层及上述第2半导体层上，上层部中的位于上述二极管区域内而与上述IGBT区域相邻的第1区域中的杂质浓度比位于上述二极管区域内而从上述IGBT区域隔开的第2区域中的杂质浓度低；上述第2导电型的第3半导体层，在上述二极管区域及上述IGBT区域中设置在上述半导体部上；上述第1导电型的第4半导体层，在上述IGBT区域中设置在上述第3半导体层的上层部；第2电极，在上述IGBT区域中在从上述第4半导体层朝向上述半导体部的方向上延伸，与上述第4半导体层、上述第3半导体层及上述半导体部相邻；第3电极，在上述二极管区域中位于上述第3半导体层上，在上述IGBT区域中位于上述第4半导体层上；以及绝缘膜，设置在上述第2电极与上述第4半导体层之间、上述第2电极与上述第3半导体层之间、上述第2电极与上述半导体部之间、以及上述第2电极与上述第3电极之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 半导体装置

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