申请/专利权人:铠侠股份有限公司
申请日:2022-03-04
公开(公告)日:2023-03-21
公开(公告)号:CN115835641A
主分类号:H10B41/35
分类号:H10B41/35;H10B41/27;H10B43/27;H10B43/35
优先权:["20210915 JP 2021-150272"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.04.07#实质审查的生效;2023.03.21#公开
摘要:实施方式的半导体装置具备:积层体,包含多个上层导电层及设置在所述多个上层导电层的下层侧的多个下层导电层的多个导电层在第1方向彼此相隔积层,具有阶梯状的端部,且所述多个上层导电层作为与NAND串相对的选择栅极线发挥功能,所述多个下层导电层作为与NAND串相对的字线发挥功能;多个柱状构造,分别包含在所述积层体内在所述第1方向延伸的半导体层;及第1接点,与包含在所述多个上层导电层且连续积层的2个以上的第1上层导电层连接,跨越所述2个以上的第1上层导电层的上表面而设置。
主权项:1.一种半导体装置,具备:积层体,包含多个上层导电层及设置在所述多个上层导电层的下层侧的多个下层导电层的多个导电层在第1方向彼此相隔积层,具有阶梯状的端部,且所述多个上层导电层作为与NAND串相对的选择栅极线发挥功能,所述多个下层导电层作为与NAND串相对的字线发挥功能;多个柱状构造,分别包含在所述积层体内在所述第1方向延伸的半导体层;及第1接点,与包含在所述多个上层导电层且连续积层的2个以上的第1上层导电层连接,跨越所述2个以上的第1上层导电层的上表面而设置。
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