申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2022-07-08

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN115832005A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/762

优先权：["20211112 US 63/278,520","20220512 US 17/742,943"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.07#实质审查的生效;2023.03.21#公开

摘要：本公开涉及晶体管隔离区域及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：第一源极漏极区域；第一绝缘鳍，位于所述第一源极漏极区域之间，所述第一绝缘鳍包括第一下绝缘层和第一上绝缘层；第二源极漏极区域；以及第二绝缘鳍，位于所述第二源极漏极区域之间，所述第二绝缘鳍包括第二下绝缘层和第二上绝缘层，所述第一下绝缘层和所述第二下绝缘层包括相同的电介质材料，所述第一上绝缘层和所述第二上绝缘层包括不同的电介质材料。

主权项：1.一种半导体器件，包括：第一源极漏极区域；第一绝缘鳍，位于所述第一源极漏极区域之间，所述第一绝缘鳍包括第一下绝缘层和第一上绝缘层；第二源极漏极区域；以及第二绝缘鳍，位于所述第二源极漏极区域之间，所述第二绝缘鳍包括第二下绝缘层和第二上绝缘层，所述第一下绝缘层和所述第二下绝缘层包括相同的电介质材料，所述第一上绝缘层和所述第二上绝缘层包括不同的电介质材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 晶体管隔离区域及其形成方法

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