申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2022-07-12

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN115826345A

主分类号：G03F1/24

分类号：G03F1/24;G03F1/54;G03F1/76

优先权：["20211012 US 63/254,796","20220516 US 17/745,562"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.07#实质审查的生效;2023.03.21#公开

摘要：本申请公开了具有帽盖层的极紫外掩模。极紫外EUV掩模包括衬底、位于衬底上的反射多层堆叠和位于反射多层堆叠上的多层帽盖特征。多层帽盖特征包括第一帽盖层和第二帽盖层，第一帽盖层包括包含具有第一碳溶解度的元素的材料，第二帽盖层包括包含具有第二碳溶解度的元素的材料。第一碳溶解度与第二碳溶解度不同。在一些实施例中，第一帽盖层的材料的元素和第二帽盖层的元素针对波长为13.5nm的EUV具有不同的消光系数。

主权项：1.一种极紫外EUV掩模，包括：衬底；位于所述衬底上的反射多层堆叠；位于所述反射多层堆叠上的多层帽盖特征，所述多层帽盖特征包括第一帽盖层和第二帽盖层，所述第一帽盖层包括包含具有第一固态碳溶解度的元素的材料，所述第二帽盖层包括包含具有第二固态碳溶解度的元素的材料，第一固态碳溶解度与第二固态碳溶解度不同；以及位于所述多层帽盖特征上的图案化吸收层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 具有帽盖层的极紫外掩模

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